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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Compara
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
45
En -73% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.6
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
26
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
3124
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
INTENSO 5641160 8GB
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