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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Compara
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
45
En -15% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
39
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
3017
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
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