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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
45
En -67% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.4
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
27
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
9.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
2607
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
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