RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Compara
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
45
En -73% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.1
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.1
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
26
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
21.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
17.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
3931
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link