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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
45
En -41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
32
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
3331
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Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
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