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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
45
En -125% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
20
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
19.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
3462
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
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Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
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