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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Compara
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
45
En -96% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
23
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
2785
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
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