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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
45
En -67% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
27
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
2291
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
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