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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
45
En -67% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
27
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
3388
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
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Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
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