RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Compara
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
45
En -67% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
27
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
3561
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link