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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
45
En -73% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.8
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.2
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
26
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
18.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
15.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
3666
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
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