RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Compara
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
45
En -96% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
23
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
3126
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link