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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Compara
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
45
64
En 30% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.0
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
64
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
10.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
2181
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
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G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
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