RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Compara
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
45
En -55% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.4
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
13.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
2832
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston FQ453-80003 1GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link