RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Compara
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
45
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
3389
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link