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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Compara
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.1
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
45
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
3027
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
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