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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Compara
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
45
En -165% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.6
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.7
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
17
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
21.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
17.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
3702
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 991988 (996988) 4GB
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Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
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