RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Compara
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
45
En -80% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.3
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
25
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
18.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
3731
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link