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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Compara
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
45
En -67% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
27
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
3460
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR24N17S8/4 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
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