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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
45
En -125% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
20
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
19.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
3410
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
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