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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Compara
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
45
En -10% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
12
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
41
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
2186
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905701-029.A00G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
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Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
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Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
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