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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
45
En -22% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
37
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
2461
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
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