RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Compara
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
45
En -73% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
26
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
2739
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Kingston KHX16 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link