RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Compara
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
45
En -32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.1
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
34
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
3472
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link