RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Compara
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
45
En -96% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
23
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
2848
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link