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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
45
En -61% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
2361
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
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Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
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