RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Compara
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
44
En -33% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.3
13
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.9
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
33
Velocidad de lectura, GB/s
13.0
18.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
15.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2069
3574
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link