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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
45
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
3106
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
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