RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
45
En -105% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
22
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
3066
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Mushkin 991586 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link