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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
45
En -114% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.1
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
21
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
3419
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
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