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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
45
76
En 41% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
7.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.5
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
76
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
7.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
1587
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
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