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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
45
En -125% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.2
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.8
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
20
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
19.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
3326
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
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Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
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