RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
45
En -80% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
25
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
3085
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link