RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
45
En -73% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
26
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
3073
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link