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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
45
En -96% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.9
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
23
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
3208
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
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