RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
45
En -55% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.8
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
3645
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link