RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
45
En -41% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
32
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
3571
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link