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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
45
En -73% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.4
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.9
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
26
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
13.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
2563
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Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
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