RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
45
En -61% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.9
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.3
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
18.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
16.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
3860
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link