RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
45
En -55% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.0
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
16.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
3795
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link