RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
45
En -22% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
37
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
2814
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link