RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
45
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
38
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
2536
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Informar de un error
×
Bug description
Source link