RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
45
En -45% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
31
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
9.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
2554
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link