RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
45
En -73% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
26
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
9.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
2437
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link