RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
6.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
45
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
35
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
2091
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Samsung M471B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link