RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
45
En -36% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
33
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
3157
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link