RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
45
En -96% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
23
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
2495
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
SK Hynix HMP351S6AFR8C-S6 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link