RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
45
En -114% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.5
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
21
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
19.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
3512
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link