RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
45
En -55% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
3049
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link