RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Compara
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
45
En -80% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.1
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.3
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
25
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
20.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
18.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1992
4174
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Corsair CMY8GX3M2A3000C12 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link